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J-GLOBAL ID：200903068081621542

圧力センサ

Inventor： 蘭 宗樹
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179650
Publication number (International publication number)：1993026751
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 800°C近くの高温度でも高感度で安定した出力を得ることが可能な圧力センサを提供する。【構成】 サファイア基板1上にダイアフラム3が形成され,前記ダイアフラム3の表面にAlN(圧電セラミック)薄膜からなるSAW発振手段4を形成した。

Claim (excerpt)：

サファイア基板にダイアフラムが形成され,前記ダイアフラムの表面にAlN薄膜からなるSAW発振手段を形成したことを特徴とする圧力センサ。