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J-GLOBAL ID：200903068089437201

3族窒化物半導体、半導体基板、該半導体を用いたレーザおよび半導体装置

Inventor： 岩田 浩和
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000333479
Publication number (International publication number)：2002141552
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】 性能特性、信頼性、生産性、利用性等の各特性を高めた3族窒化物半導体および半導体装置を得る。【解決手段】 本p型3族窒化物半導体は、サファイア基板10上に、低温GaNバッファー層11、p型GaN層12の順で積層されたものである。このp型GaN層12は、Inが3族元素不純物として、0.1%含まれている。また、p型ドーパントとして、Mgが 6×1019cm-3含まれている。GaN層12は、キャリア濃度は 8×1017cm-3で低抵抗のp型を示した。なお、Inを含まない場合は、キャリア濃度は 1×1017cm-3であった。少なくともp型不純物が一元素以上ドーピングされた、Ga、Al、In、Bのいずれか一元素以上と窒素の化合物からなるp型3族窒化物半導体は、その構成元素以外のGa、Al、In、Bから選ばれる3族元素を一元素以上、不純物として微量に含み、従来の3族元素不純物を含まない3族窒化物半導体よりもキャリア濃度が増加した電気的特性の優れた低抵抗の半導体である。

Claim (excerpt)：

n型不純物が一元素以上ドーピングされた、Ga、Al、In、Bのいずれか一元素以上と窒素の化合物からなるn型3族窒化物半導体において、前記n型3族窒化物半導体は、該n型3族窒化物半導体の構成元素以外のGa、Al、In、Bから選ばれる3族元素を、一元素以上、不純物として微量に含むことを特徴とするn型3族窒化物半導体。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/343

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  H01L 31/10 A

F-Term (37)：

5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA57 ,  5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049PA04 ,  5F049QA02 ,  5F049WA05 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073EA29