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J-GLOBAL ID：200903068095310035
振動式トランスデューサの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298761
Publication number (International publication number)：1994148012
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：
【要約】【目的】 少ない工程で振動梁を形成すると共に付着防止に有効な突起を形成するための製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板(1)の表面に誘電体層(2)を形成し,集束イオンビーム装置を用いてイオンビームにより誘電体に溝(3)を形成する。その溝を含むシリコン基板上にポリシリコン層(4)を形成し,張力を持たせるための加熱処理を行いポリシリコン層(4)を振動梁の形状に形成する。そのポリシリコン層(4)を含む基板上に誘電体層(5)を形成すると共にこの誘電体層の上にレジストを形成し,振動梁の上の誘電体層(5)を振動梁の幅よりも僅かに大きく残して除去する。レジストを除去して基板(1)上に誘電体層(7)を形成し,誘電体層(5)の表面に集束イオンビーム装置を用いてイオンビームにより溝(3a)を形成する。その溝を含む基板上にポリシリコン(8)を形成し,誘電体層(5)の幅よりも僅かに大きく残して除去する。誘電体層(2,5)を除去し,空洞(10)を形成する。基板とポリシリコン(8)の表面にポリシリコン(8a)を形成し,隙間を閉じシェル(8)を形成する。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と,該振動梁の周囲に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと,該振動梁を励振する励振手段と,前記振動梁の振動を検出する励振検出手段とを具備する振動形トランスデューサにおいて,前記振動梁は下記の工程を含んで形成されたことを特徴とする振動形トランスデューサの製造方法。1) シリコン基板(1)の表面に誘電体層(2)を形成し,集束イオンビーム装置を用いてイオンビームにより前記誘電体に溝(3)を形成する工程。2) 前記溝を含むシリコン基板上にポリシリコン層(4)を形成し,該ポリシリコン層(4)を振動梁の形状に形成する工程。3) 前記ポリシリコン層(4)を含む基板上に誘電体層(5)を形成し,前記誘電体層(2)及び誘電体層(5)を振動梁の幅よりも僅かに大きく残して除去する工程。4) 前記基板(1)上に誘電体層(7)を形成する工程。5) 前記露出した誘電体層(5)の表面に集束イオンビーム装置を用いてイオンビームにより溝(3a)を形成する工程。6) 前記溝(3a)を含む基板(1)上にポリシリコン(8)を形成し,工程(3)で残した誘電体層(5)の幅よりわずかに大きく残して前記ポリシリコン(8)を除去する工程。7) 前記誘電体層(7),(2),(5)を除去し,空洞(10)を形成する工程。8) 前記基板(1)とポリシリコン(8)の表面にポリシリコン(8a)を形成し,隙間10aを閉じる工程。
IPC (2)：
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