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J-GLOBAL ID：200903068116928913

ホスト-ゲスト錯体を含有する光電変換素子用材料

Inventor： 池田 篤志 ,  新海 征治 ,  波多野 吏
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 筒井 知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002177863
Publication number (International publication number)：2004022424
Application date： Jun. 19, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】電子供与性化合物と電子受容性化合物をその本来の性質を損なうことなく、簡便に薄膜化して、光電変換素子として用いられるのに好適な新規な材料を提供する。【解決手段】導電性基板上に電子受容性化合物と電子供与性化合物とが積層されて構成される光電変換素子用材料において、電子受容性化合物および電子供与性化合物のそれぞれが、そのホスト-ゲスト錯体を形成して積層されているようにする。好ましい態様として、電子受容性のフラーレンがカリックスアレーンと錯体を形成するとともに、電子供与性のポルフィリンがシクロデキストリンと錯体を形成するように構成することによって、光電変換性能の優れた材料が得られる。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

導電性基板上に電子受容性化合物と電子供与性化合物とが積層されて構成される光電変換素子用材料であって、前記電子受容性化合物および前記電子供与性化合物のそれぞれが、そのホストとホスト-ゲスト錯体を形成して積層されていることを特徴とする光電変換素子用材料。

IPC (4)：

H01M14/00 ,  C08F220/54 ,  C08F230/04 ,  H01L31/04

FI (4)：

H01M14/00 P ,  C08F220/54 ,  C08F230/04 ,  H01L31/04 Z

F-Term (18)：

4J100AM21P ,  4J100AM21Q ,  4J100BA56P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC65Q ,  4J100CA04 ,  4J100JA32 ,  5F051AA14 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE17 ,  5H032EE20 ,  5H032HH01