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J-GLOBAL ID：200903068121758473

パワーモジュール

Inventor： 門田 健次 ,  高城 東一
Applicant, Patent owner： 電気化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025122
Publication number (International publication number)：1998223809
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ヒートショックやヒートサイクルなどの熱衝撃や熱履歴によって生じる損傷に対して十分な耐久性を有し、しかも熱放散性に優れ、絶縁不良などが発生しがたい高信頼性のパワーモジュールを提供する。【解決手段】 セラミックス基板の少なくとも一主面上に金属回路を設け、該金属回路上に半導体チップが配置されてなるパワーモジュールであって、該パワーモジュールを基板に対して垂直の方向より眺め、前記半導体チップの重心から任意の方向に半直線Lを引き、該半直線L上で半導体チップの端部と金属回路端部との距離をD、半導体チップの重心から端部までの距離をWとするとき、D≧Wである半直線が少なくとも1本以上存在するように前記半導体チップを配置していることを特徴とするパワーモジュールであり、好ましくは、前記セラミックス基板に窒化アルミニウム又は窒化珪素の焼結体を用いてなる前記モジュール。

Claim (excerpt)：

セラミックス基板の少なくとも一主面上に金属回路を設け、該金属回路上に半導体チップを配置してなるパワーモジュールであって、該パワーモジュールを基板に対して垂直の方向より眺め、前記半導体チップの重心から任意の方向に半直線を引き、該半直線上で半導体チップの端部と金属回路端部との距離をD、半導体チップの重心から端部までの距離をWとするとき、D≧Wである半直線が少なくとも1本以上存在するように前記半導体チップを配置してなることを特徴とするパワーモジュール。

IPC (3)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/40 ,  H05K 1/18

FI (3)：

H01L 23/36 C ,  H01L 23/40 C ,  H05K 1/18 S