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J-GLOBAL ID：200903068129271310

半導体装置

Inventor： 岩崎 靖和
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993143206
Publication number (International publication number)：1995015027
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 素子領域内部の走行領域へ入射光強度を減衰させることなく,その入射光を導いて短波長側での感度低下を防止し,半導体装置の高感度化および高帯域化を図る。【構成】 走行領域において電子-正孔対を生成する入射光を,埋込酸化膜102(光導波路)により走行領域に導き,バンドギャップエネルギー以下の入射光に対して光学窓を開口させ,入射光強度の減衰による短波長側における感度の低下を防止する。

Claim (excerpt)：

半導体材料により構成された半導体装置において,前記半導体装置が,その素子領域内部に光を導く光導波路を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 31/107 ,  H01L 31/111

FI (4)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 C ,  H01L 31/10 B ,  H01L 31/10 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-283080
  
• 特開昭56-038864