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J-GLOBAL ID：200903068154593372
抵抗変化メモリ用のセレン化銀/カルコゲナイドガラス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
杉村 興作
, 高見 和明
, 徳永 博
, 藤谷 史朗
, 来間 清志
, 冨田 和幸
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003570408
Publication number (International publication number)：2005518665
Application date： Feb. 14, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：
【課題】メモリの保持力及びスイッチング特性を改善した抵抗変化メモリ素子を提供する。【解決手段】本発明は、データ保持力及びスイッチング特性を改善した抵抗変化メモリ素子を提供する方法及び装置に関するものである。本発明の好適例によれば、少なくとも1つのセレン化銀層(18)をガラス層(17、20)間に配置した抵抗変化メモリ素子が提供され、これらのガラス層の少なくとも1つがカルコゲナイドガラスであり、GexSe100-xの組成を有することが好ましい。
Claim (excerpt)：
少なくとも1つの金属含有層と、
少なくとも1つのカルコゲナイドガラス層と、
少なくとも1つの他のガラス層とを具えて、
前記金属含有層を、前記少なくとも1つのカルコゲナイドガラス層と前記少なくとも1つの他のガラス層との間に設けたことを特徴とする抵抗変化メモリ素子。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L27/10 448
, H01L27/10 461
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA21
, 5F083HA02
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083ZA13
