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J-GLOBAL ID：200903068165514199

配線の形成方法

Inventor： 廣田 高敏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118602
Publication number (International publication number)：1996316236
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 寸法精度の高い配線を形成する。エッチングマスクとしてレジストを使用しないので、レジストの残骸によるエッチング速度が低下せず、大きなエッチング速度を得ることを目的とする。【構成】 本発明の配線の形成方法は、基板上に形成された金属膜を、無機系絶縁膜をマスクとして、SiI4 及びNH3 の混合ガスプラズマによって反応性ドライエッチングして配線を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された金属膜を、無機系絶縁膜をマスクとして、SiI4 及びNH3 の混合ガスプラズマによって反応性ドライエッチングして配線を形成することを特徴とする配線の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3213 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/88 D ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-329640
  
• 特開平4-094121
  
• 特開平4-322425
  
• 特開平4-072724
  
• エツチング方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-157018   Applicant：株式会社日立製作所
• 配線パターンおよびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-252562   Applicant：ソニー株式会社