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J-GLOBAL ID：200903068167117197

マイクロ波励起プラズマ処理装置

Inventor：
山崎 修

About 山崎 修


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997051507
Publication number (International publication number)：1998255998
Application date： Mar. 06, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 圧力負加および熱伝達による誘電体窓の破損がなく、効率良くマイクロ波を伝達できるマイクロ波励起プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 内部上方にプラズマ生成室23、この下方に被処理部材22が配置される処理室24を有する反応容器21と、反応容器21の上部壁に形成されたスリット状のマイクロ波導入口と、プラズマ生成室23内に処理ガスを供給するガス供給管と、マイクロ波導入口からプラズマ生成室23へマイクロ波を導入する導波管31と、マイクロ波導入口に大きさが対応して気密に閉塞し、マイクロ波を透過する誘電体窓33と、を具備したことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
内部の上方にプラズマ生成室、このプラズマ生成室の下方に形成され、被処理体が配置される処理室を有する反応容器と、上記反応容器の上部壁に形成されたスリット状のマイクロ波導入口と、上記プラズマ生成室内に処理ガスを供給するガス供給管と、上記反応容器に接続され上記マイクロ波導入口から上記プラズマ生成室へマイクロ波を導入する導波管と、上記マイクロ波導入口に対応する大きさに形成されてこのマイクロ波導入口を気密に閉塞して上記マイクロ波を透過する誘電体窓と、を具備したことを特徴とするマイクロ波励起プラズマ処理装置。
IPC (3)：
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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