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J-GLOBAL ID：200903068182129835
配線構造及び配線の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991251711
Publication number (International publication number)：1993090258
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、絶縁膜に配線が埋め込まれた配線において、配線を高信頼化する事を目的とする。【構成】 絶縁膜に、下部コーナー部の曲率半径が50オングストローム以上となる溝を形成し、その溝部にバリアメタルおよび低抵抗金属膜を堆積し、最後に配線パターン以外の不要な金属膜を除去し、埋込配線を形成する。【効果】 本発明によれば、配線不良率を小さくし、配線の信頼性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
絶縁膜に配線が埋め込まれた埋込配線構造において、配線下部の各部の曲率半径が、50オングストローム以上であることを特徴とする配線構造。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
H01L 21/88 A
, H01L 21/88 K
Cited by examiner (8)
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