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J-GLOBAL ID：200903068204838274

太陽電池用基板の粗面化方法

Inventor： 樋熊 弘子 ,  松野 繁 ,  松本 紀久 ,  前川 武之
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (2)： 河宮 治 ,  竹内 三喜夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004091757
Publication number (International publication number)：2005277295
Application date： Mar. 26, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】 より低コストかつより低反射率の得られる太陽電池用基板の粗面化方法を提供すること。【解決手段】 金属又は炭素から成り平均粒径が5μm以下のマスク用微粒子を含む塗液を基板の表面に塗布して、その基板の表面に塗膜を形成する。次いで、基板の表面をエッチングした後、残留する塗膜を基板の表面から除去する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属又は炭素から成り平均粒径が5μm以下のマスク用微粒子を含む塗液を基板の表面に塗布して、上記基板の表面に塗膜を形成する工程と、上記基板の表面をエッチングする工程と、残留する塗膜を上記基板の表面から除去する工程とを含む太陽電池用基板の粗面化方法。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (2)：

H01L31/04 H ,  H01L31/04 M

F-Term (6)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051CB24 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-063060   Applicant：三菱電機株式会社
• 基板の表面加工方法及び太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-113555   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (1)

• 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-063060   Applicant：三菱電機株式会社