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J-GLOBAL ID：200903068205029930

単結晶の製造方法

Inventor： 児玉 茂夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305104
Publication number (International publication number)：1993139884
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 原料をカプセルに充填して製造する単結晶の製造方法に関し,カプセル内壁との接触を回避し欠陥の少ない単結晶を製造することを目的とする。【構成】 先端1aを封止したカプセル1に充填した原材料2の一部を融解又は溶解して形成された帯状の液化帯4を,カプセル1先端1aから後端1bに向けて移動する単結晶5の製造方法において,液化帯4内の最低温度で液相であり,カプセル1内の最高温度で原材料2,単結晶5,液化帯4及びカプセル1と反応しない被覆層3を,カプセル1の内壁とこれらとの間に設けて構成し,及び,原材料2をカプセル1に封入して融解し,カプセル1先端1aから固化する単結晶5の製造方法において,原材料2の融解温度で液相であり,カプセル1内の最高温度で原材料2,該単結晶5及び該カプセル1と反応しない被覆層3を,該カプセル1の内壁とこれらとの間に設けて,微小重力下で製造するように構成する。

Claim (excerpt)：

原材料(2)を先端(1a)が封止された管状のカプセル(1)内に充填し,該原材料(2)の一部を融解又は溶解して該カプセル(1)の横断面を満たす帯状の液化帯(4)を形成し,該液化帯(4)を該カプセル(1)の先端(1a)から該カプセルの後端(1b)に向けて移動することにより該液化帯(4)が移動した後に単結晶(5)を形成する単結晶の製造方法において,該液化帯(4)内の最低温度で液相であり,該カプセル(1)内の最高温度以下の温度で該原材料(2),該単結晶(5),該液化帯(4)及び該カプセル(1)の内壁と反応しない物質からなる被覆層(3)を,該カプセル(1)の内壁と該原材料(2),該単結晶(5)及び該液化帯(4)との間に設けたことを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 27/00 ,  C30B 11/00 ,  C30B 13/14 ,  H01L 21/208