Pat

J-GLOBAL ID：200903068213993177

コンタクトホールの形成方法

Inventor： 佐々木 直人
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992224793
Publication number (International publication number)：1994053190
Application date： Jul. 31, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 十分な大きさのテーパ部を有すると共に設計値に近い寸法で且つ微細なコンタクトホールを形成する。【構成】 レジスト膜13に開孔14を形成した後、紫外線21を照射してレジスト膜13のガス抜きを行い、As+ 22をイオン注入してレジスト膜13に硬化層23を形成する。そして、レジスト膜13をマスクにして、プラズマエッチングでテーパ部16を形成し、異方性エッチングでコンタクトホール17を形成する。レジスト膜13に硬化層23を形成しているので、プラズマエッチングや異方性エッチングの際にレジスト膜13が後退しない。しかも、レジスト膜13のガス抜きを行っているので、As+ 22をイオン注入しても、プラズマエッチング時にレジスト膜13が破裂しない。

Claim (excerpt)：

形成すべきコンタクトホールのパターンの開孔を層間絶縁膜上のレジスト膜に形成する工程と、前記レジスト膜の表面に対して斜めの方向からこのレジスト膜にイオンを注入して、前記表面と前記開孔の内側面とに硬化層を形成する工程と、前記硬化層を形成した後に、前記レジスト膜をマスクにして前記層間絶縁膜の厚さ方向の一部をプラズマエッチングして、この層間絶縁膜にテーパ部を形成する工程と、前記プラズマエッチングの後に、前記レジスト膜をマスクにして前記層間絶縁膜の厚さ方向の残部を異方性エッチングして、前記テーパ部を有する前記コンタクトホールを前記層間絶縁膜に形成する工程とを有するコンタクトホールの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-292626
  
• 特開平2-039429
  
• 特開平2-054526
  
• 特開平3-148121
  
• 特開昭56-111221