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J-GLOBAL ID：200903068225441773
エッチング工程およびこれを用いた静電マイクロスイッチ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052548
Publication number (International publication number)：1994267926
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 温度変化や温度刺激に強く、フッ化水素酸によるエッチングや機械的な刺激にも耐え得る耐性の強い窒化シリコン膜による静電マイクロスイッチのエッチング工程、および該工程により得られる再現性の良い自由度のある静電マイクロスイッチを提供する。【構成】 窒化シリコン膜の応力を3×109 dyn/cm2 以下として基板上に酸化シリコン膜とパターニングされた多結晶シリコン膜を形成し、該酸化シリコン膜下部に形成した窒化シリコン膜をエッチング停止層として、酸化シリコン膜をエッチングする工程(および酸化シリコン膜がスパッタ法によるもの、または窒化シリコン膜が低圧化学気相成長法によるもの)により、再現性の良い自由度のある静電マイクロスイッチが提供される。
Claim (excerpt)：
エッチングマスクあるいはエッチング停止層として窒化シリコン膜を用いるエッチング工程において、該窒化シリコン膜の応力(σ)が、【数1】|σ|≦3×109 dyn/cm2であることを特徴とするエッチング工程。
IPC (3)：
H01L 21/306
, C23F 4/00
, H01L 29/84
