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J-GLOBAL ID：200903068230095131

窒素注入C60フラーレン薄膜およびその作製方法

Inventor：
久保田 弘

About 久保田 弘

, 
町 英一郎

About 町 英一郎


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 田村 敏朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000243523
Publication number (International publication number)：2002060940
Application date： Aug. 11, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 微細構造半導体プロセスにおける電子線リソグラフィー用ネガレジストとして使用に適した薄膜を作製すること。【解決手段】 本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。これにより、C60フラーレン薄膜中に一様に窒素イオンを分布させることができる。この一様に窒素イオンを分布した窒素注入C60フラーレン薄膜は電子線露光前後のエッチングレートの差、基板に対する選択比がが著しく高いので、電子線リソグラフィー用ネガレジストに適している。
Claim (excerpt)：
窒素イオンをC60フラーレン薄膜に注入するにあたり、フラッシュ法による成膜速度調節により、C60フラーレン薄膜中に窒素イオンを一様に分布させたことを特徴とする窒素注入C60フラーレン薄膜。
IPC (4)：
C23C 14/48 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/06 ,  G03F 7/004 531
FI (4)：
C23C 14/48 D ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 14/06 F ,  G03F 7/004 531
F-Term (15)：
2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BD01 ,  2H025EA06 ,  2H025EA10 ,  2H025FA20 ,  2H025FA41 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4K029AA06 ,  4K029BA34 ,  4K029BD00 ,  4K029CA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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