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J-GLOBAL ID:200903068240646225

電子ビーム励起プラズマ発生装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 富田 幸春
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993091850
Publication number (International publication number):1994283123
Application date: Mar. 29, 1993
Publication date: Oct. 07, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】微細ドライエッチング加工のための電子ビーム励起プラズマ発生装置のコンタミネーション(汚染)を防止し、シリコンウエハの製品の信頼性を高める。【構成】放電領域2の放電管の外側に高周波誘導コイル16を巻装して13.56メガヘルツ等の高周波を印加し、ポート3から供給されるガスを電離しプラズマを形成させ、プラズマ中の電子ビームを陽極8により加速領域9にて加速しプラズマ生成領域10に導出し、プラズマ生成領域中に供給される塩素ガスを電離させて、そのイオンをホルダ13に保持されているシリコンウエハのターゲット試料14に照射し、所定の微細ドライエッチング加工を行うに、放電領域2に於ける無電極放電装置20により在来の加熱陰極電極のフイラメントからのランタン,ボロン等のパーティクルの発生がなく、従ってスパッタリングによるドライエッチングを介してのコンタミネーションの発生がない。
Claim (excerpt):
放電領域,電子ビーム加速領域,プラズマ発生領域がこの順で配設されている電子ビーム励起プラズマ発生装置において、該放電領域に電子発生源として無電極放電装置が設けられた電子ビーム励起プラズマ発生装置。
IPC (8):
H01J 37/08 ,  C23F 4/00 ,  G21K 5/08 ,  H01J 27/20 ,  H01J 37/305 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/24
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平1-105539
  • イオンビーム中性化装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-206047   Applicant:日新電機株式会社
  • プラズマ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-087355   Applicant:東京エレクトロン株式会社
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