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J-GLOBAL ID：200903068246711134

半導体装置及び半導体装置の製造方法及びテ-プキャリア

Inventor： 沢谷 博道
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992021857
Publication number (International publication number)：1994061406
Application date： Jan. 11, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高密度実装を図りながらマルチチップ化が可能な半導体装置、それに適用されるテ-プキャリアおよびその半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 リ-ドフレ-ムのアイランド11上に複数の半導体素子(チップ)2を搭載し、リ-ドフレ-ムのインナーリード12とチップ2間をテ-プキャリアのインナーリード11とアウターリード12で接続し、チップ2Aと2B間は、テ-プキャリアの接続リ-ド34で接続することによって、マルチチップの高密度実装を行う。

Claim (excerpt)：

インナ-リ-ド、アウタ-リ-ドおよびアイランドを備えたリ-ドフレ-ムと、このリ-ドフレ-ムの前記アイランドに搭載された複数の半導体素子と、前記リ-ドフレ-ムのインナ-リ-ドに接続されるアウタ-リ-ドおよび前記半導体素子に形成された電極パッドに接続されるインナ-リ-ドを有する配線パタ-ンを備え、かつ、前記半導体素子を1つずつその中に収容する複数のデバイスホ-ルを備えた可撓性の樹脂テ-プとを具備していることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-024477
  
• 特開平2-230749
  
• 特公昭51-042985