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J-GLOBAL ID：200903068274248539
半導体導波路型受光器
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996029154
Publication number (International publication number)：1997223805
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ハイメサ加工による工程数の多さや難易度の高い加工を除く半導体導波路型受光器を得る。【解決手段】 不純物拡散によるpn接合を形成した導波路構造を有して、スラブ型導波路として用いたものである。
Claim (excerpt)：
第1の半導体層と、この第1の半導体層よりも光の吸収端波長が長く屈折率の大きな第2の半導体層と、この第2の半導体層より光の吸収端波長が短く屈折率の小さな第3の半導体層と、を有する半導体導波路型受光器において、上記第3の半導体層の一部に表面から所定深さにわたり他の領域とは異なる導電形の拡散領域を形成し、この拡散領域及び上記第2の半導体層の一面を深さ方向に光入射端として露出させた、ことを特徴とする半導体導波路型受光器。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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