半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994158779
Publication number (International publication number)：1996031950
Application date： Jul. 11, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、段差を低減させたデバイスを得ることを最も主要な特徴とする。【構成】半導体基板13の表面に、第1の導電層15aと第2の導電層15bが互いに離されて形成されている。層間絶縁膜23中に、第1の導電層15aの表面を露出させるための第1のコンタクトホール10が設けられている。第1のコンタクトホール10内に、第1の導電層15aに接触するように、第1の配線層4が埋め込まれている。第1の配線層4の表面の位置は、層間絶縁膜23の表面と同一か、またはそれ以下にされている。第1の配線層4の表面を絶縁膜5が覆っている。層間絶縁膜23中に、第2の導電層15bの表面を露出させるための第2のコンタクトホール9が設けられている。第2のコンタクトホール9を通って、第2の導電層15bに、第2の配線層6が接続されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に互いに離されて形成された第1導電層と第2導電層と、前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、を備え、前記層間絶縁膜中には、前記第1導電層の表面を露出させるための第1のコンタクトホールが設けられており、当該装置は、また、前記第1のコンタクトホール内に前記第1の導電層に接触するように埋め込まれた第1の配線層、を備え、前記第1の配線層の表面の位置は、前記層間絶縁膜の表面と同一か、またはそれ以下にされており、当該装置は、さらに、前記第1の配線層の表面を覆う絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第2導電層の表面を露出させるための第2のコンタクトホールと、前記第2のコンタクトホールを通って、前記第2の導電層に接触するように、前記層間絶縁膜の上に設けられた第2の配線層と、を備えた半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 27/10 325 C , H01L 21/90 D , H01L 27/10 325 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-283658
特開平3-283658
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-191122 Applicant：株式会社東芝

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