レジスト材料

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：内原晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285775
Publication number (International publication number)：1993127369
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】化学増幅系レジストの解像限界付近での寸法制御性の低下、レジストスカムの発生を防止できるレジスト材料を提供する。【構成】従来の化学増幅系レジストに酸発生剤より生成した酸に対して塩基として働く有機材料、例えばアニリン,ピリジン,イミダゾールあるいはアンモニア誘導体をμモル/グラム程度微量添加することを特徴として構成される。すなわち従来のレジストではマスクパターンを通してレジストを光照射すると図1(a)のような酸濃度分布であるが、図1(b)に示すように微量の塩基性有機物を加えると図1(c)に示す酸濃度と塩基濃度の差の分布となる。【効果】解像限界付近でマスクパターンの光コントラストが低下してもマスクエッヂ部の酸濃度分布を急峻にできるので、寸法制御性が向上する。さらにマスク遮光部に光干渉によって生成した酸は塩基物によって完全に中和されるので、レジストスカムの問題も解消される。

Claim (excerpt)：

感光性酸発生剤より生成した酸の触媒反応を利用してレジストの溶解性を変化させる化学増幅系レジストにおいて、レジスト中に発生した酸に対して塩基として働く有機材料を添加することを特徴とするレジスト材料。

IPC (6)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , G03F 7/028 , G03F 7/038 505 , G03F 7/039 501 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

特開平2-296250
特開平2-296250
特開平1-300250

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