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J-GLOBAL ID：200903068289791093

半導体装置の製造方法

Inventor： 薄島 章弘 ,  松野 公栄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186216
Publication number (International publication number)：1996051059
Application date： Aug. 09, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 段差の大きい基板でも基板上の全ての場所で均一な膜厚の反射防止膜をカバレッジ良く形成することができるとともに、汚染金属、パーティクル等の混入を抑えて反射防止膜の特性劣化を抑える。【構成】 基板1上に塩基性溶液5を一様に液盛りし、基板1を乾燥して塩基性溶液5の溶剤を飛ばして基板1表面に塩基性分子を残留させ、塩基性分子を覆うように基板1上に化学増幅型ポジレジスト9を塗布した後、化学増幅型ポジレジスト9に電離照射線を照射することにより、化学増幅型ポジレジスト9中に酸を発生させるとともに、化学増幅型ポジレジスト9との基板1界面近傍に発生した酸を塩基性分子により中和して失活させ、化学増幅型ポジレジスト9を熱処理することにより、基板1界面近傍の化学増幅型ポジレジスト9の中和失活された領域に現像液に対して溶け難い難溶化層26を形成した後、難溶化層26上の化学増幅型レジスト9を現像液で除去する。

Claim (excerpt)：

基板(1)上に塩基性溶液(5)を一様に液盛りする工程と、次いで、該基板(1)を乾燥して該塩基性溶液(5)の溶剤を飛ばして該基板(1)表面に塩基性分子を残留させる工程と、次いで、該塩基性分子を覆うように該基板(1)上に化学増幅型ポジレジスト(9)を塗布する工程、次いで、該化学増幅型ポジレジスト(9)に電離照射線を照射することにより、該化学増幅型ポジレジスト(9)中に酸を発生させるとともに、該化学増幅型ポジレジスト(9)との該基板(1)界面近傍に発生した酸を該塩基性分子により中和して失活させる工程と、次いで、該化学増幅型ポジレジスト(9)を熱処理することにより、該基板(1)界面近傍の該化学増幅型ポジレジスト(9)の中和失活された領域に現像液に対して溶け難い難溶化層(26)を形成する工程と、次いで、該難溶化層(26)上の該化学増幅型ポジレジスト(9)を現像液で除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 566