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J-GLOBAL ID：200903068297815694

パワーモジュール

Inventor： 八木 雄二 ,  塚田 厚志 ,  長瀬 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998240083
Publication number (International publication number)：2000068447
Application date： Aug. 26, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 パワーモジュール内に封止された半導体チップを効果的に冷却することができなかった。【解決手段】 半導体チップ4は絶縁基板6を介して、パッケージ29の金属基板24に載置されている。また、半導体チップ4上のエミッタ電極14には、導電性の良い金属板34が超音波溶接で接合されており、金属板34は比較的大きな面積を有しているため熱伝導性が高く、半導体チップ4で発生した熱を効果的に放熱することができる。

Claim (excerpt)：

パワー素子を内蔵するパワー素子モジュールであって、外部との電気的接続を行う電極端子と、この電極端子と前記パワー素子を電気的に接続する接続線路と、を含み、前記接続線路の少なくとも一部が金属板からなることを特徴とするパワー素子モジュール。

IPC (2)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 複数のサブモジュールを有するパワー半導体モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-306297   Applicant：アセアブラウンボヴエリアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-018775   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-291299   Applicant：株式会社日立製作所