Pat

J-GLOBAL ID：200903068300824233

半導体発光装置

Inventor： 岩本 隆
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993200248
Publication number (International publication number)：1995038146
Application date： Jul. 20, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光取り出し効率を向上させて、高出力の半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】 p-GaAlAsクラッド層2、n-GaAlAsクラッド層4、これらのクラッド層2、4間に配置したp-GaAlAs活性層3、下部電極7、上部電極6、及び光取り出し面5から構成された半導体発光装置1において、発光領域とならない活性層をエッチングにより除去して、その表面を光を乱反射するような凹凸面8とした。

Claim (excerpt)：

活性層を含む半導体結晶層の上部と下部とに電極を形成し、前記活性層を発光領域とすると共に、前記活性層の対向面側に、前記発光領域からの出射光を外部へ出射する光取り出し面を形成した面発光型半導体発光装置において、前記活性層側の発光領域以外の部分を、乱反射領域としたことを特徴とする半導体発光装置。