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J-GLOBAL ID：200903068302962781

半導体装置の製造方法

Inventor： 高橋 邦方 ,  内田 正雄 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉 ,  北畠 真
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002153410
Publication number (International publication number)：2003347235
Application date： May. 28, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 電気的特性の良好な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 SiC基板11に不純物イオンを注入して、SiC基板11内に不純物イオンのピークを有する注入層12を形成する。次いで、SiC基板11とSiC基板13とを張り合わせた状態でアニール炉内に設置し、アルゴン雰囲気中で加熱する。これにより、アニールを行うと同時に注入層12のうち不純物濃度が低く、損傷の大きい上部注入層12bを除去できるので、SiC基板11を用いて優れた電気的性能を有する半導体装置を製造することができる。

Claim (excerpt)：

第1の半導体基板の上方から不純物イオンを注入して第1の不純物ドープ層を形成する工程(a)と、上記第1の半導体基板の上面と、第2の半導体基板の上面とを対向させた状態で、少なくとも上記第1の半導体基板を加熱して、上記第1の半導体基板の上面近傍領域の少なくとも一部を上記第2の半導体基板上に移動させ、上記第2の半導体基板上にエピタキシャル成長させる工程(b)とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/265 602 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/872

FI (6)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/80 B ,  H01L 21/265 Z

F-Term (31)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104DD91 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21