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J-GLOBAL ID:200903068313553603

電子デバイスの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三俣 弘文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993077503
Publication number (International publication number):1994061615
Application date: Mar. 12, 1993
Publication date: Mar. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明はフォトレジスト剥離方法を提供する。【構成】 硬化した電気泳動レジストコーティング13を剥離するための浴19は0.2-50%のフッ素含有酢酸、1%未満の腐食防止剤、および50-99.8%のアミド溶剤(好ましくは環状アミド)の混合物からなる。このアミド溶剤は好ましくは Nーメチルピロリドンであり、前記の酸は好ましくはトリフルオロ酢酸である。
Claim (excerpt):
基板(10)の一部をフォトレジストコーティング(13)で被覆するステップ(図1)と、前記フォトレジストコーテイングを化学線で選択的(15、16)に露光するステップ(図1)と、前記フォトレジストコーティングを前記の化学線への選択的露光に従って現像するステップ(図1)と、前記の現像したフォトレジストコーティングをマスクとして用いて、その下の基板の一部に選択的反応させるステップ(図2)と、からなる電子デバイスの製造方法において、前記のエッチングされたフォトレジストコーティング(13)を、0.2ー50%のフッ素含有有機酸と、1%以下の腐食防止剤と、50ー99.8%のアミド溶剤とからなる混合物に浸漬することにより、前記フォトレジストコーティング(13)を除去する、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
IPC (4):
H05K 3/06 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

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