II族-酸化物を含む光半導体素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997072003
Publication number (International publication number)：1998270749
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】薄膜技術を用いて、バンド端近傍の発光が可能なII族-酸化物を含む光半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 II族-酸化物を含む光半導体素子において、マグネシウムを固溶させた亜鉛酸化物薄膜を有するようにした。マグネシウムを添加することにより、酸化亜鉛のバンドギャップは広がる。

Claim (excerpt)：

II族-酸化物を含む光半導体素子において、マグネシウムを固溶させた亜鉛酸化物薄膜を有することを特徴とするII族-酸化物を含む光半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/203 , H01L 21/363

FI (3)：

H01L 33/00 A , H01L 21/203 M , H01L 21/363

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭50-068678
特開昭50-039713

Cited by examiner (7)

特開昭50-068678
特開昭50-068678
特開昭50-039713

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