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J-GLOBAL ID：200903068333528702

EUV光源、露光装置及び露光方法

Inventor： 村上 勝彦
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003195019
Publication number (International publication number)：2005032510
Application date： Jul. 10, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】EUV露光装置に使用される13nm付近の波長域において適当なターゲット材料であるSnを用いつつ、デブリを低減することができるEUV光源を提供する。【解決手段】EUV光源は、真空チャンバ4と、Sn化合物を含む溶液を収納するタンク1と、タンクに収納されている溶液を加熱するヒータ2とを備える。該ヒータにより溶液を加熱することにより気化したSn化合物を含む気体は、ガスボンベ13に充填されたキャリアガスによりノズル3に運ばれて真空チャンバの内部に噴射され、レーザ装置6から発生したレーザ光を照射されるとプラズマ化してEUV光を発生するガスターゲットとして作用する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

Sn化合物の気体又は液体を含むターゲット材料を供給するターゲット材料供給系と、 前記ターゲット材料をプラズマ化する手段と、 プラズマ化されたターゲット材料から放射されるEUV光を外部に向けて射出する手段と、を具備することを特徴とするEUV光源。

IPC (8)：

H05G2/00 ,  G03F7/20 ,  G21K5/00 ,  G21K5/02 ,  G21K5/08 ,  H01L21/027 ,  H05G1/00 ,  H05H1/24

FI (9)：

H05G1/00 K ,  G03F7/20 521 ,  G21K5/00 Z ,  G21K5/02 X ,  G21K5/08 X ,  G21K5/08 Z ,  H05H1/24 ,  H01L21/30 531S ,  H05G1/00 R

F-Term (8)：

4C092AA06 ,  4C092AA14 ,  4C092AA15 ,  4C092AB21 ,  4C092AB30 ,  4C092AC09 ,  5F046GC02 ,  5F046GC03