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J-GLOBAL ID：200903068338344995

リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法

Inventor： 多田 仁史
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997033510
Publication number (International publication number)：1998229246
Application date： Feb. 18, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 動作電流を増加させることなく高次モードの発生を抑えることができるリッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成された活性層上に、上クラッド層を介してp型又はn型の一方の導電型の半導体からなるリッジ導波路が形成されたリッジ型半導体レーザダイオードであって、リッジ導波路の両側面から内側に、一方の導電型の半導体のキャリヤを減少させるイオンを注入して、該イオンが注入された領域を高抵抗化した。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された活性層上に、上クラッド層を介してp型又はn型の一方の導電型の半導体からなるリッジ導波路が形成されたリッジ型半導体レーザダイオードであって、上記リッジ導波路の両側面から内側に、上記一方の導電型の半導体のキャリヤを減少させるイオンを注入して、該イオンが注入された領域を高抵抗化したことを特徴とするリッジ型半導体レーザダイオード。