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J-GLOBAL ID：200903068358467988
半導体基板およびその熱処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038698
Publication number (International publication number)：1995249588
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体プロセスの熱処理中に酸化物が析出してデバイスに影響を与えることなく、また基板表面における抵抗率の上昇を押えることができる半導体基板を得ること。【構成】 シリコン半導体基板のドーパントを含む分子を含有した不活性ガス雰囲気中に、シリコン半導体基板を導入する。次に不活性ガス雰囲気中で1100°C以上まで加熱する。これにより、基板内部の平均格子間酸素濃度と基板表面の平均格子間酸素濃度の比が5以上で、かつ基板表面の平均格子間酸素濃度が2×1017atms/cm3 以下の半導体基板が得られる。また基板内部と基板表面の平均ドーパント不純物濃度の差が5%以下となる。
Claim (excerpt)：
シリコン半導体基板の熱処理方法において、前記シリコン半導体基板のドーパントを含む分子を含有した不活性ガス雰囲気中にシリコン半導体基板を導入する工程と、この不活性ガス雰囲気を1100°C以上まで加熱する工程と、からなる半導体基板の熱処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/223
, H01L 21/322
, H01L 21/324
