特に電子構成品を含む半導体材料薄膜の製法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997092330
Publication number (International publication number)：1998041242
Application date： Apr. 10, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】トランジスタのような電子構成品を有する薄膜を、その薄膜と残りの半導体ウエーハとの間で断裂を起こすことができるマイクロバブル連続領域をイオン注入により形成することにより、従来の方法より容易に製造する方法。【解決手段】エレメントを含む基体の面に、イオンを注入して基体内に気体マイクロバブル連続領域で、基体の前記面の側にエレメントを含む小さな厚さの領域と、残りの基体によって形成された大きな厚さの領域とを区切る連続的マイクロバブル領域を形成し、基体を、注入したイオンによって発生したガスが拡散によって半導体から逃げることができる温度よりも低いが、基体内の結晶再配列効果及びマイクロバブル圧力効果により、気体マイクロバブル連続領域の両側に位置する二つの領域を分離するのに充分な温度で基体を熱処理することからなる、エレメントを有する薄膜の製法。

Claim (excerpt)：

半導体材料からなる基体から、その半導体材料とは異なった材料の少なくとも一つのエレメントを含む薄膜を、該基体の一方の面上に形成し、前記薄膜に異種の構造体を与える方法において、前記エレメントを含む前記基体の面に、前記基体の体積内に気体マイクロバブルを生ずることができるイオンを衝突させることにより注入し、然も、その注入を、生成エレメントに関して、前記基体の前記面の側に前記エレメントを含む小さな厚さの領域と、残りの基体によって形成されたかなり大きな厚さの領域とを区切る連続的マイクロバブル領域が得られるようなやり方で行い、前記イオンは希ガス及び水素ガスのイオンの中から選択し、基体の温度を、注入したイオンによって発生したガスが拡散によって半導体から逃げることができる温度よりも低く保ち、次に前記基体内の結晶再配列効果及びマイクロバブル圧力効果により、気体マイクロバブルの領域の両側に位置する二つの領域の分離を生ずるのに充分な温度で前記基体を熱処理し、然も、前記小さな厚さの領域が前記薄膜を構成する、諸工程を含む、異種構造体を有する薄膜の製法。

IPC (2)：

H01L 21/265 , C23C 14/48

FI (4)：

H01L 21/265 Q , C23C 14/48 A , H01L 21/265 602 C , H01L 21/265 602 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
半導体材料支持体上へのレリーフ構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-333646 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
薄膜を最初の基体から目的の基体上に移動させる方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-009604 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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