ドライエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993312250
Publication number (International publication number)：1995169739
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 3層レジストプロセスにおいて、下層レジスト層エッチング時のアンダーカットによる寸法変換差を防止する。【構成】上層レジストパターンおよび中間層パターンをマスクとして、下層レジストをエッチングする場合、上層レジストパターンがエッチオフされる迄の第1のエッチングと、上層レジストパターンがエッチオフされた後の第2のエッチングで構成する。【効果】上層レジストパターンがエッチオフされると、反応生成物による側壁保護膜の効果が低下する。そこで第2のエッチング工程ではエッチング条件を切り替えて、酸素ラジカルを低減したり、側壁保護膜の形状を助長することにより、下層レジストパターンのアンダーカットが防止できる。

Claim (excerpt)：

下地材料層上に有機材料層、中間層および上層レジストパターンを順次形成し、該上層レジストパターンをマスクに上記中間層をパターニングし、つぎに少なくとも中間層パターンをマスクに上記有機材料層をパターニングする多層レジストのドライエッチング方法において、上記有機材料層のパターニングは、上記上層レジストパターンがエッチオフされる迄の第1のエッチング工程と、上記上層レジストパターンがエッチオフされた後の、該第1のエッチング工程とは異なるエッチング条件の第2のエッチング工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 573

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-267381 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-114426

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