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J-GLOBAL ID：200903068374503218
半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991201701
Publication number (International publication number)：1993048072
Application date： Aug. 12, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】Si電子回路と半導体レーザ、またはさらに受光器を設けた半導体素子において、長時間安定して動作する長寿命の半導体レーザを提供する。【構成】Si基板上に、Siからなる電子回路と、少なくとも1種以上の単結晶化合物半導体層(例えば、GaAsおよびInGaAsのバッファ層を介して単結晶InP半導体層を積層する)を介して、波長が1.4μm以上の長波長光を発振する半導体レーザおよび受光器を集積して構成した半導体素子。【効果】バッファ層を介して積層することによりInP半導体層の転位密度および残留応力を低減することができ、レーザの発振波長を1.4μm以上とすることができ長寿命の半導体レーザが得られる。
Claim (excerpt)：
シリコン(Si)基板上に、Siからなる電子回路と、少なくとも1種以上の単結晶化合物半導体層を介して、波長が1.4μm以上の長波長光を発振する半導体レーザを集積してなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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