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J-GLOBAL ID：200903068383705702
半導体レーザ装置及びその駆動方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995201690
Publication number (International publication number)：1997033960
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】光出射方向を電気的に制御できるとともに大出力光を得ることができる光半導体レーザ装置の提供。【解決手段】(1)半導体基板上に少なくとも光ガイド層が形成されており、表面にストライプ状電極が形成されている半導体レーザ装置において、前記電極の一部分が光の進行方向に沿って形成された分離領域により分割された複数の電極からなる。分離領域により分割された複数の電極に注入する電流を電極ごとに変化させることにより出射光ビームを偏向させる。(2)半導体基板上に少なくとも光ガイド層が形成されており、表面にテーパ状電極が形成されている半導体レーザ装置において、前記電極の一部分が光の進行方向に沿って形成された分離領域により分割された複数の電極からなる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に少なくとも光ガイド層が形成されており、表面にストライプ状電極が形成されている半導体レーザ装置において、前記電極が、その一部に、光の進行方向に沿って形成された分離領域により分割された複数の電極を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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