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J-GLOBAL ID：200903068395157905
薄膜多層回路基板用ベース基板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993153079
Publication number (International publication number)：1995022757
Application date： Jun. 24, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】 インダクタンスが小さくかつ大容量のデカップリングキャパシタ13を内蔵することができ、MCMのベース基板として使用した場合、高速スイッチングにより発生するノイズ等を効果的に除去することができ、理論回路において誤動作が発生しにくい膜多層回路基板用ベース基板を提供すること。【構成】 1層以上の電源層12及び1層以上のグランド層14を含み、電源層12及びグランド層14間に薄膜強誘電体からなるデカップリングキャパシタ13が構成されている薄膜多層回路基板用ベース基板10。
Claim (excerpt)：
1層以上の電源層及び1層以上のグランド層を含み、これらの層間に薄膜強誘電体からなるデカップリングキャパシタが構成されていることを特徴とする薄膜多層回路基板用ベース基板。
IPC (3)：
H05K 3/46
, H01G 4/33
, H01L 23/12
H01G 4/06 102
, H01L 23/12
