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J-GLOBAL ID：200903068397244813

アンモニア中でのアニールを利用して超薄ゲート絶縁体を確立する方法

Inventor： イボック,エフィオン・ケイ
Applicant, Patent owner： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 深見 久郎 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001543768
Publication number (International publication number)：2003516633
Application date： Dec. 05, 2000
Publication date： May. 13, 2003
Summary：

【要約】シリコン基板を含む半導体装置の製造方法は、基板上に薄い酸化物基膜を形成し、次にこの基板をアンモニア中でアニールすることを含む。その後、従来通りにFETゲートをゲート絶縁体上に形成する。こうして得られたゲート絶縁体は電気的絶縁性を有するが、従来のゲート酸化物絶縁体と比較して性能は低下していない。

Claim (excerpt)：

半導体装置を製造する方法であって、 半導体基板を与えるステップと、 前記基板上に酸化物基膜を確立するステップと、 次に前記基板をアンモニア中でアニールするステップと、 次に前記膜の部分上にFETゲートを形成するステップとを含む、半導体装置を製造する方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (11)：

5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA05 ,  5F140AA39 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE08