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J-GLOBAL ID:200903068403661200

多周波共用ダイポールアンテナ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 奥山 尚男 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997175543
Publication number (International publication number):1999027042
Application date: Jul. 01, 1997
Publication date: Jan. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 使用される周波数帯が増しても、小形で、かつ多数の周波数帯を共用させる。【解決手段】 誘電体基板11の両面に、第1の周波数f1 に共振する第1のダイポール素子12a,12bを形成し、該第1のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込み16により、第2の周波数f2 (f2 >f1 )に共振する第2のダイポール素子13a,13bを形成し、該第2のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込み17により、第3の周波数f3 (f3 >f2 )に共振する第3のダイポール素子14a,14bを形成し、以下同様に、第nのダイポール素子を形成するとともに、前記第1、第2、第3、......、第nのダイポール素子のそれぞれの素子は、共通の中央給電点18a,18bを介して、共通の給電線路15a,15bに接続される。
Claim (excerpt):
複数n(nは、2より大きい正の整数)の周波数帯を共用するため、誘電体基板の両面に、任意の幅を有する金属箔からなる第1の周波数f1 に共振する第1のダイポール素子と、該第1のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込みにより形成される第2の周波数f2 (f2 >f1 )に共振する第2のダイポール素子と、該第2のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込みにより形成される第3の周波数f3 (f3 >f2 )に共振する第3のダイポール素子と、以下同様に、第n-1のダイポール素子内に、該素子に設けられた切り込みにより形成される第nの周波数fn (fn >fn-1 )に共振する第nのダイポール素子とを形成するとともに、前記第1、第2、第3、......、第nのダイポール素子は、それぞれの共通の中央給電点を介して、共通の給電線路に接続されることを特徴とする多周波共用ダイポールアンテナ装置。
IPC (4):
H01Q 21/30 ,  H01Q 5/01 ,  H01Q 9/16 ,  H01Q 19/10
FI (4):
H01Q 21/30 ,  H01Q 5/01 ,  H01Q 9/16 ,  H01Q 19/10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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