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J-GLOBAL ID:200903068403705810

ポジ型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002032449
Publication number (International publication number):2003233188
Application date: Feb. 08, 2002
Publication date: Aug. 22, 2003
Summary:
【要約】【課題】エッチング時の表面荒れが低減されたポジ型レジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュードにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)脂環基を有する特定の繰り返し単位を2種含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位、及び一般式(II)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(I)において、R1は水素原子又はメチル基を表し、Aは単結合又は連結基を表し、ALGは下記一般式(pI)〜一般式(pV)のいずれかを表す。【化2】式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、及びR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。【化3】式(II)において、R2は、水素原子又はアルキル基を表す。R3は、脂環式炭化水素基を表す。R4は、鎖状3級アルキル基、1-アルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基又はテトラヒドロフラニル基を表す。A1及びA2は、各々独立に、単結合、アルキレン基、エーテル基、カルボニル基、エステル基のいずれか、またはその組み合わせを表す。
IPC (2):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (2):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (9):
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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