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J-GLOBAL ID：200903068413538679

CVD装置

Inventor： 小林 明子 ,  関口 敦 ,  池田 圭
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996159046
Publication number (International publication number)：1997316646
Application date： May. 30, 1996
Publication date： Dec. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 液体原料を液体のままで流量制御し、当該液体原料を気化器で気化させ、所望流量の反応ガスを作るように構成されるCVD装置においてスループットを高くする。【解決手段】 反応室11と、反応室内を排気する排気機構14,15 と、反応室内に設けた基板ホルダ18と、反応室に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガス生成機構とを備え、反応ガスの化学反応によって基板19の表面に薄膜を形成する。反応ガス生成機構は、液体原料28を収容するコンテナ29と、液体原料を気化し反応ガスを作る気化器31と、容器から気化器へ流れる液体原料の流量を制御する液体流量制御機構30とからなり、また反応ガス供給機構として基板ホルダ上の基板へ反応ガスを導く筒体33が設けられる。

Claim (excerpt)：

反応容器と、前記反応容器の内部を排気する排気機構と、前記反応容器内に設けられる基板保持手段と、前記基板保持手段を加熱する加熱手段と、前記反応容器の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記反応ガス供給手段に対して供給される前記反応ガスを生成する反応ガス生成機構とを備え、前記反応ガスの化学反応によって前記基板保持手段に保持された基板の表面に薄膜を形成するCVD装置において、前記反応ガス生成機構は、液体原料を収容する容器と、前記液体原料を気化し前記反応ガスを作る気化器と、前記容器から前記気化器へ流れる前記液体原料の流量を制御する液体流量制御部とからなり、前記反応ガス供給手段は、前記基板保持手段上の上記基板へ前記反応ガスを導く筒体であり、前記反応ガス生成機構は、前記筒体の内部空間へ前記反応ガスを供給することを特徴とするCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (3)：

C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C