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J-GLOBAL ID：200903068425697691

半導体装置の製造方法

Inventor： 中澤 良雄
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999139216
Publication number (International publication number)：1999345981
Application date： Aug. 18, 1990
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】静電気保護回路を少ない工程で形成する。【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのソース・ドレインあるいはゲートとして形成されるイオンドープされた非結晶シリコン材料と同一の材料で形成された入力保護抵抗を具備した静電気保護回路を有する半導体装置の製造方法に関する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成される半導体装置の静電気保護回路において、薄膜トランジスタのソース、ゲート、ドレイン部として形成されるイオンドープされた非結晶シリコン材料と同一の材料でかつ薄膜トランジスタのソース、ゲート、ドレイン部と同一工程で形成される入力抵抗を有する静電気保護回路。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 29/78 623 A ,  H01L 27/12 K ,  H01L 27/04 H