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J-GLOBAL ID：200903068428770772

透明電極の形成方法

Inventor： 今吉 孝二 ,  福吉 健蔵
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Agent (1)： 上田 章三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993298654
Publication number (International publication number)：1995153332
Application date： Nov. 29, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 微細パターン状の透明電極を寸法精度良く形成する方法を提供すること。【構成】 150°C以下の基板温度条件にて絶縁基板(ガラス)1上にスパッタリングによりITO薄膜2を成膜し、このITO薄膜2上に電極パターン状のフォトレジスト3を形成した後、このレジスト3から露出したITO薄膜2をエッチング除去して透明電極20を形成する方法。そして、この方法においては上記エッチング液として臭化水素酸と燐酸との混酸を使用しているため、上記エッチング処理の際にそのサイドエッチングが抑制されてエッチング後に残存させるITO薄膜2の画線幅を正確に制御することが可能となる。従って、微細パターンの透明電極20を寸法精度良く形成できる効果を有している。

Claim (excerpt)：

150°C以下の基板温度条件にて絶縁基板上に透明導電膜を成膜し、かつ、この透明導電膜上に電極パターン状のエッチングレジストを形成した後、このエッチングレジストから露出する上記透明導電膜をエッチングにより除去して透明電極を形成する方法において、臭化水素酸と燐酸との混酸から成るエッチング液で上記透明導電膜をエッチングすることを特徴とする透明電極の形成方法。

IPC (4)：

H01B 13/00 503 ,  C03C 15/00 ,  C23F 1/16 ,  G02F 1/1343