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J-GLOBAL ID：200903068435868150
薄膜半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995265001
Publication number (International publication number)：1997082981
Application date： Sep. 19, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 薄膜半導体装置に集積形成される薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の膜質を改善する。【解決手段】 薄膜半導体装置はゲート絶縁膜を介して互いに重なったゲート電極及び半導体薄膜を有する薄膜トランジスタを絶縁基板に集積形成したものである。ゲート絶縁膜6はSiO2 を主体とし、SiH4 とN2 Oを含む混合ガスを原料とするプラズマCVDにより成膜される。この際、N2 Oに対するSiH4 のガス流量比をSiH4 /N2 O=0.04以下に設定し、SiH4 とN2Oの混合ガスをプラズマ7により反応させる時のガス圧力を70Pa〜170Paに設定し、プラズマ7を発生させるパワーを38mW/cm2 以上に設定している。これにより絶縁基板5上に成膜されたゲート絶縁膜6の膜中電荷を1×1011〔q/cm2 〕程度を超えない様に制御する事が可能である。
Claim (excerpt)：
ゲート絶縁膜を介して互いに重なったゲート電極及び半導体薄膜を有する薄膜トランジスタを絶縁基板に集積形成した薄膜半導体装置の製造方法であって、該ゲート絶縁膜はSiO2 を主体としSiH4 とN2 Oを含む混合ガスを原料とするプラズマを利用した化学気相成長により成膜され、N2 Oに対するSiH4 のガス流量比をSiH4 /N2 O=0.04以下に設定し、SiH4 とN2 Oの混合ガスをプラズマにより反応させる時のガス圧力を70Pa〜170Paに設定し、該プラズマを発生させるパワーを38mW/cm2 以上に設定する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/316
H01L 29/78 617 V
, H01L 21/316 M
