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J-GLOBAL ID:200903068438496024
硫化カドミウム超微粒子及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001131505
Publication number (International publication number):2002321916
Application date: Apr. 27, 2001
Publication date: Nov. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 吸収帯及び発光体の半値幅が狭く、且つ発光効率の優れた硫化カドミウム超微粒子を提供する。【解決手段】 半値幅が35nm以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が30nm以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。
Claim (excerpt):
半値幅が35nm以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が30nm以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。
IPC (4):
C01G 11/02
, C09K 11/00
, C09K 11/08
, C09K 11/56 CPC
FI (4):
C01G 11/02
, C09K 11/00 A
, C09K 11/08 G
, C09K 11/56 CPC
F-Term (7):
4G047BA01
, 4G047BB01
, 4G047BC01
, 4G047BD03
, 4H001CC13
, 4H001XA16
, 4H001XA48
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