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J-GLOBAL ID:200903068438496024

硫化カドミウム超微粒子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001131505
Publication number (International publication number):2002321916
Application date: Apr. 27, 2001
Publication date: Nov. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 吸収帯及び発光体の半値幅が狭く、且つ発光効率の優れた硫化カドミウム超微粒子を提供する。【解決手段】 半値幅が35nm以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が30nm以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。
Claim (excerpt):
半値幅が35nm以下のエキシトン吸収帯を与え、かつ半値幅が30nm以下のエキシトン発光帯を与える硫化カドミウム超微粒子。
IPC (4):
C01G 11/02 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/56 CPC
FI (4):
C01G 11/02 ,  C09K 11/00 A ,  C09K 11/08 G ,  C09K 11/56 CPC
F-Term (7):
4G047BA01 ,  4G047BB01 ,  4G047BC01 ,  4G047BD03 ,  4H001CC13 ,  4H001XA16 ,  4H001XA48

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