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J-GLOBAL ID：200903068438861610

半導体装置とその製造方法

Inventor： 金子 寿輝 ,  鬼沢 賢一 ,  北 芳明 ,  阿部 良夫 ,  橋本 健一 ,  小園 裕三 ,  小川 和宏 ,  森田 守
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221874
Publication number (International publication number)：1993063172
Application date： Sep. 02, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】高感度な受光素子と、高速走査可能な駆動用素子を、同一基板上に、同じ膜構成で形成することができる半導体装置と、その製造方法を提供することを目的とする。【構成】光電変換を行なう非晶質半導体層を有する受光素子と、多結晶半導体層を有する薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

光電変換を行なう非晶質半導体層を有する受光素子と、多結晶半導体層を有する薄膜トランジスタとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/784

FI (4)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 311 C ,  H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 S