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J-GLOBAL ID：200903068441629507

パターン形成方法及びその装置

Inventor： 池田 利喜夫 ,  津守 利郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994023623
Publication number (International publication number)：1995211630
Application date： Jan. 26, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 複雑なフォトリソグラフィプロセスにおいても、総合的な線幅均一性を向上させる方法を提供することであり、またその方法を実施する装置を提供する。【構成】 フォトリソグラフィ技術による本パターン形成方法は、制御装置24を介して現像装置18をレジスト線幅測定装置22にインライン接続し、レジスト線幅測定装置により計測したレジスト線幅測定データに基づき、現像装置の現像雰囲気温度、現像雰囲気湿度、現像液温度及び現像液濃度のうちの少なくとも一つについてその最適条件を制御装置により求めて現像装置にフィードバックし、それによってレジスト線幅を安定化する。本パターン形成装置10は、現像装置が、制御装置を介してレジスト線幅測定装置にインライン接続され、制御装置が、レジスト線幅測定装置により計測したレジスト線幅測定データに基づき、現像装置の現像雰囲気温度、現像雰囲気湿度、現像液温度及び現像液濃度のうちの少なくとも一つについて求めた最適条件で現像装置をフィードバック制御する。

Claim (excerpt)：

フォトリソグラフィ技術によりウェハー上にパターンを形成する方法において、制御装置を介してレジスト塗布装置をレジスト線幅測定装置にインライン接続し、レジスト線幅測定装置により計測したレジスト線幅測定データに基づき、レジスト塗布装置のウェハー回転時間、塗布雰囲気温度、塗布雰囲気湿度、レジスト温度及びウェハー温度のうちの少なくとも一つについて求めた最適条件でレジスト塗布装置をフィードバック制御し、それによってレジスト線幅を安定化することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 501

FI (2)：

H01L 21/30 564 Z ,  H01L 21/30 569 Z