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J-GLOBAL ID：200903068448634026

超電導トランジスタ

Inventor： 樽谷 良信 ,  高木 一正 ,  杉井 信之 ,  樺沢 宇紀 ,  長谷川 晴弘 ,  深沢 徳海
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995030420
Publication number (International publication number)：1996228029
Application date： Feb. 20, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【構成】 超電導性のソース電極、ドレイン電極、超電導電極間に挾まれたチャネル層、ゲート絶縁膜およびゲート電極から成る超電導トランジスタで、チャネル層が正方晶あるいは斜方晶のCuを含む酸化物であり、結晶のab面の中で電気的に伝導度の低い原子面と超電導性を有する原子面から構成され、基板がソース電極とドレイン電極部の間で段差をなし、チャネル部で傾斜し、チャネル層が傾斜した基板上に形成される。【効果】 素子寸法を大きくすることなく、超電導モ-ドでの信号電圧を任意の大きさに増大させることができ、素子を超電導状態に保った状態での利得、すなわち信号電圧とゲート電圧の比を1以上にすることができ、電圧状態でも超電導モ-ドが保たれ、スイッチングが高速化する。

Claim (excerpt)：

超電導性のソース電極、ドレイン電極、超電導電極間に挾まれたチャネル層、ゲート絶縁膜およびゲート電極から成る超電導トランジスタにおいて、前記チャネル層が正方晶あるいは斜方晶のCuを含む酸化物であり、結晶のab面の中で電気的に伝導度の低い原子面と超電導性を有する原子面から構成されることを特徴とする超電導トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-230778
  
• 特開平1-161880
  
• 特開平3-023684