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J-GLOBAL ID：200903068452887567

エピタキシャル再成長が後続する酸素イオン注入による表面放出レーザ

Inventor： シ-ユアン・ワン ,  マイクル・アール・ティ・タン
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992263561
Publication number (International publication number)：1993218575
Application date： Oct. 01, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】活性層の小領域を囲む絶縁分離領域を形成し、電流を小領域に閉じ込めることができる表面放出半導体レーザ装置を提供する。【構成】半導体基板30の頂部に第1群の鏡層32をエピタキシャル成長させ、その上に活性層34を成長させる。活性層34に小さな活性領域34′を除いて酸素イオンを注入し絶縁分離領域34′′が形成される。活性領域には電流が流れるとほぼ単色でコヒーレントな放射を発生するPn接合が含まれる。酸素注入後、活性層34の頂部に第2群の鏡層38を成長させ、活性領域34′で発生した光を再び活性領域へ戻し、より多くの放射を誘導する。同じ目的で活性領域の下にも鏡層32が存在する。上記構成の頂部と底面に接触層が設けられ、両接触層間に電力が印加されると、活性領域を通って電流が流れ放射を発生する。絶縁分離領域34′′が活性領域を流れる電流を制限し、レーザ効率を向上させる。

Claim (excerpt)：

分離領域に囲まれた活性領域を有し、該活性領域はほぼ単色でコヒーレントな放射を該活性領域を電流が流れるのに応じて発生し、前記分離領域にはそこに電流が流れるのを阻止するために酸素イオンが注入された第一の半導体層と、前記活性領域に発生した放射の少なくとも幾分かを該活性領域に戻すために、前記第一の層の各側面に1層ずつ設けられ、前記第一の層と共に半導体の本体の一部を形成する2個の鏡半導体層と、前記本体の両側面に設けられ、前記鏡層に電気的に接続され、それを介して電流が前記活性領域に印加されたときに、該活性領域がほぼ単色でコヒーレントな放射を発生する接触層とを備え、前記接触層の少なくとも一つがその中に穴を形成し、その穴の少なくとも一部が前記活性領域とのアライメントがとられ、前記活性領域で発生し、鏡層を介して伝達される放射がそこを介して伝達されることを可能とすることを特徴とする表面放出半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-173792
  
• 特開平4-014276
  
• 特願平2-117194
  Application number：特願平2-117194  
• 特開平2-181985
  
• 特開昭54-092191