Pat
J-GLOBAL ID：200903068453313270
加水分解に安定な被膜による電気浸透の抑制
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279962
Publication number (International publication number)：1993180801
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明はクロマトグラフィー、特に電気泳動のシステムにおける電気浸透フローを抑制せしめることを目的とする。【構成】 本発明は、クロマトグラフィー、特に電気泳動分離において用いられる例えばシリカキャピラリーの内壁の表面電荷を低めるために有機ポリマー層により被覆せしめる方法を提供する。この層は、まず表面のシラノール基をハロゲン化シリコン基に変換せしめ、次いでこの基を末端エテニル成分を有する有機金属試薬と反応させて、ハロゲン化シリコン基をSi-Rへと変換せしめ(Rは末端エテニル成分を保持し続ける)、最後にこの表面上に単一分子の架橋されていないポリマー層を形成せしめるために付加重合反応においてこのエテニル基を中性有機モノマーと結合せしめることで処理される。得られるポリマー層はSi-C結合を介してシリカと結合し、広範囲のpH条件に安定である。
Claim (excerpt)：
暴露されているシラノール基の静電荷を低めるために該シラノール基を有する固体の表面を処理する方法であって以下のもの:(a)該暴露されているシラノール基をハロゲン化シリコン基へと変換せしめるために該表面を処理し;(b)該表面を末端エテニル成分を含む脂肪族基Rを含む有機金属化合物と反応させて、該末端エテニル結合を保持しながら該ハロゲン化シリコン基をSi-R基へと変換せしめ;そして(c)該表面に共有結合するポリマー層を形成せしめるために該末端エテニル基に付加重合が可能な中性有機物質と該Si-R基を反応せしめること;を含んで成る方法。
IPC (4)：
G01N 27/447
, B01D 57/02
, G01N 30/48
, C07K 3/14
G01N 27/26 331 Z
, G01N 27/26 315 Z
