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J-GLOBAL ID：200903068457660498
半導体記憶装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994002185
Publication number (International publication number)：1995211790
Application date： Jan. 13, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 DRAMのメモリセルの円筒キャパシタを形成する際の工程を削減し、工程を簡略化する。【構成】 円筒キャパシタの下部電極部11を構成する芯となる部材として、従来の酸化膜に代えて窒化膜16を用いる。後にこれを熱リン酸によりエッチングし除去する場合に、酸化膜10と窒化膜16との選択比が大きくなるため、従来必要とされた凹部19の保護のためのレジスト形成が不要となる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第1のポリシリコンを堆積した後、窒化膜を重ねて堆積する第1の工程と、エッチングを行い上記第1のポリシリコン及び上記窒化膜をパターニングする第2の工程と、重ねて第2のポリシリコンを堆積した後エッチバックを行い上記第1のポリシリコン及び上記窒化膜に側壁を形成し、円筒キャパシタを形成する第3の工程と、上記円筒キャパシタの内部の上記窒化膜をエッチング除去する第4の工程とを備える半導体記憶装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 325 C
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 M
