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J-GLOBAL ID：200903068459209793

金属窒化物被膜の形成方法

Inventor： 石井 芳朗 ,  大津 英彦
Applicant, Patent owner： 株式会社ライムズ
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991295586
Publication number (International publication number)：1993132778
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】残留ハロゲン量が少なく、膜特性の優れた金属窒化物被膜を高い成膜速度で形成することが可能な方法を提供しようとするものである。【構成】直流プラズマCVD法により真空チャンバ1内で基材13表面に金属窒化物被膜を形成する方法において、原料ガスとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガスおよび水素ガスを用い、前記基材13に印加する直流バイアス電圧を-100V〜-1200、前記基材13の温度を400°C以上、前記チャンバ1内の圧力を0.1〜10torrにして成膜すること特徴としている。

Claim (excerpt)：

直流プラズマCVD法により真空チャンバ内で基材表面に金属窒化物被膜を形成する方法において、原料ガスとしてハロゲン化金属ガス、アンモニアガスおよび水素ガスを用い、前記基材に印加する直流バイアス電圧を-100V〜-1200V、前記基材温度を400°C以上、前記チャンバ内の圧力を0.1〜10torrにして成膜することを特徴とする金属窒化物被膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/50