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J-GLOBAL ID：200903068460202549

高電圧トランジスタ構造及びその形成方法

Inventor： アイザック・ベンクーヤ
Applicant, Patent owner： シリコニックス・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993202597
Publication number (International publication number)：1994204483
Application date： Jul. 23, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 特に20Vから150Vの電圧の範囲内で動作するトランジスタに適する、余分なマスク及び他の製造工程を必要としない構造を提供する。【構成】 基板に形成された少なくとも2個のドープ領域と1個のゲート電極とを備える少なくとも1個のトランジスタを有する高電圧トランジスタ構造であって、前記基板に形成された第1のフィールドリングと当該第1のフィールドリングから間隔をおいて当該第1のフィールドリングと共に前記トランジスタを側方から取り囲むべく前記基板に形成された第2のフィールドリングとを少なくとも有し、前記第1のフィールドリングと前記第2のフィールドリングとの間にあって前記トランジスタを側方から取り囲むべく前記基板に形成された第1の絶縁されたトレンチを有することを特徴とする高電圧トランジスタ構造。

Claim (excerpt)：

基板に形成された少なくとも2個のドープ領域と1個のゲート電極とを備える少なくとも1個のトランジスタを有する高電圧トランジスタ構造であって、前記基板に形成された第1のフィールドリングと当該第1のフィールドリングから間隔をおいて当該第1のフィールドリングと共に前記トランジスタを側方から取り囲むべく前記基板に形成された第2のフィールドリングとを少なくとも有し、前記第1のフィールドリングと前記第2のフィールドリングとの間にあって前記トランジスタを側方から取り囲むべく前記基板に形成された第1の絶縁されたトレンチを有することを特徴とする高電圧トランジスタ構造。

FI (2)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開2038-106565
  
• 特開2049-137368